-
1 courant de court-circuit
ток короткого замыкания
Сверхток, появляющийся в результате короткого замыкания, вызываемого повреждением или неправильным соединением в электрической цепи.
МЭК 60050(441-11-07)
[ ГОСТ Р 50030. 1-2000 ( МЭК 60947-1-99)]
ток короткого замыкания
Сверхток, обусловленный замыканием с ничтожно малым полным сопротивлением между точками, которые в нормальных условиях эксплуатации должны иметь различный потенциал.
Примечание — Ток короткого замыкания может явиться результатом повреждения или неправильного соединения
(МЭС 441—11—07)
[ ГОСТ Р 50345-99( МЭК 60898-95)]
ток короткого замыкания
Электрический ток в данной короткозамкнутой цепи.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-195-2005]
ток короткого замыкания (Ic)
Сверхток, появляющийся в результате короткого замыкания, вследствие повреждения или неправильного соединения в электрической цепи
[ ГОСТ Р 51321. 1-2000 ( МЭК 60439-1-92)]
ток короткого замыкания
Электрический ток при данном коротком замыкании.
[ ГОСТ Р МЭК 60050-826-2009]
ток короткого замыкания
Сверхток, возникающий в результате короткого замыкания из-за дефекта или неправильного подключения в электрической цепи.
[ ГОСТ Р МЭК 60204-1-2007]EN
short-circuit current
an over-current resulting from a short circuit due to a fault or an incorrect connection in an electric circuit
[IEV number 441-11-07]
short-circuit current
electric current in a given short-circuit
Source: 603-02-28 MOD
[IEV number 195-05-18]
[IEV number 826-11-16]FR
courant de court-circuit
surintensité résultant d'un court-circuit dû un défaut ou à un branchement incorrect dans un circuit électrique
[IEV number 441-11-07
courant de court-circuit
courant électrique dans un court-circuit déterminé
Source: 603-02-28 MOD
[IEV number 195-05-18]
[IEV number 826-11-16]
Рис. 7 (Рис. ABB)
Контур тока короткого замыкания при замыкании на землю в системе ТТ
1 - Вторичная обмотка трансформатора;
2 - Линейный проводник;
3 - Сопротивление в месте замыкания;
4 - Проводник защитного заземления;
5 - Зазеамляющий электрод электроустановки;
6 - Заземляющий электрод нейтрали вторичной обмотки тарнсформатораПараллельные тексты EN-RU
An earth fault in a TT system originates the circuit represented in Figure 7.
The fault current flows through the secondary winding of the transformer, the line conductor, the fault resistance, the protective conductor, and the earth electrode resistances (RA, of the user’s plant, and RB, of the neutral).
[ABB]Замыкание на землю в системе TT образует цепь, представленную на рисунке 7.
Ток короткого замыкания протекает через вторичную обмотку трансформатора, линейный проводник, сопротивление в месте замыкания, проводник защитного заземления, заземляющие электроды (RA электроустановки и RB нейтрали вторичной обмотки трансформатора).
[Перевод Интент]Тематики
- электробезопасность
- электротехника, основные понятия
- электроустановки
EN
DE
FR
ток короткого замыкания интегральной микросхемы
ток короткого замыкания
Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе.
Обозначение
Iкз
IOS
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > courant de court-circuit
-
2 temps de croissance
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de croissance
-
3 temps de décroissance
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de décroissance
-
4 fonction logique
логическая функция
булева функция
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]EN
logic function
function which performs the transformations between input information (provided by one or more input functions) and output information (used by one or more output functions); logic functions provide the transformation from one or more input functions to one or more output functions
NOTE For further guidance, see IEC 61131-3 and IEC 60617-12
[IEC 61511-1, ed. 1.0 (2003-01)]FR
fonction logique
fonction qui réalise les transformations entre les informations d'entrée (fournies par une ou plusieurs fonctions d'entrée) et les informations de sortie (utilisées par une ou plusieurs fonctions de sortie); les fonctions logiques assurent la transformation d'une ou de plusieurs fonctions d'entrée en une ou plusieurs fonctions de sortie
NOTE Pour d'autres directives voir la CEI 61131-3 et la CEI 60617-12.
[IEC 61511-1, ed. 1.0 (2003-01)]Базовую ячейку, выполняющую простейшие логические функции И-НЕ (ИЛИ-НЕ), называют базовым вентилем интегральной микросхемы.
[ ГОСТ 17021-88]
Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы - число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция.
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
- Булева алгебра, элементы цифровой техники
- автоматизация, основные понятия
Действия
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > fonction logique
-
5 tension de référence
базовое напряжение
-
[IEV number 314-07-04]EN
reference voltage
value of the voltage in accordance with which the relevant performance of a meter is fixed
[IEV number 314-07-04]FR
tension de référence
valeur de la tension en fonction de laquelle certaines des caractéristiques d'un
[IEV number 314-07-04]Тематики
- измерение электр. величин в целом
EN
DE
FR
опорное напряжение интегральной микросхемы
опорное напряжение
Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой.
Обозначение
Uоп
UREF
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > tension de référence
-
6 temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
время восстановления по напряжению интегральной микросхемы
время восстановления по напряжению
Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение.
Обозначение
tвосU
tRU
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement de la tension transitoire á l’entrée
-
7 temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
время восстановления по току интегральной микросхемы
время восстановления по току
Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение.
Обозначение
tвосI
tRI
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de recouvrement du courant transitoire á l’entrée
-
8 temps d’accès
время выборки интегральной микросхемы
время выборки
Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы.
Обозначение
tв
tA
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- temps d’accès
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps d’accès
-
9 temps de délai
время задержки импульса интегральной микросхемы
время задержки
Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока.
Обозначение
tзд
td
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de délai
-
10 intervalle de temps de rafraîchissement
время регенерации интегральной микросхемы
время регенерации
Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения.
Обозначение
tрег
tREF
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > intervalle de temps de rafraîchissement
-
11 temps de validation
время сохранения сигнала интегральной микросхемы
время сохранения
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным.
Обозначение
tсх
tV
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de validation
-
12 temps de maintien
время удержания сигнала интегральной микросхемы
время удержания
Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа.
Обозначение
tу
tH
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de maintien
-
13 temps de vacillement
время успокоения интегральной микросхемы
время успокоения
Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня.
Обозначение
tусп
trip
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de vacillement
-
14 temps de préparation
время установления входных сигналов интегральной микросхемы
время установления входных сигналов
Интервал времени между началом сигнала на заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа.
Обозначение
tуст
tSU
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de préparation
-
15 temps de cycle
время цикла интегральной микросхемы
время цикла
Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций.
Обозначение
tц
tCY
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > temps de cycle
-
16 domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
диапазон входных напряжений интегральной микросхемы
диапазон входных напряжений
Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального.
Обозначение
∆Uвх
∆UI
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
- domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > domaine de fonctionnement de la tension d’entrée
-
17 domaine de fonctionnement de la tension de sortie
диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы
диапазон выходных напряжений
Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы.
Обозначение
∆Uвых
UORN
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > domaine de fonctionnement de la tension de sortie
-
18 dérive de la tension de sortie
дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы
дрейф выходного напряжения
Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
∆Uвых
∆Uo(t)
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dérive de la tension de sortie
-
19 dérive du courant de sortie
дрейф выходного тока интегральной микросхемы
дрейф выходного тока
Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов.
Обозначение
∆Iвыхt
∆Io(t)
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > dérive du courant de sortie
-
20 taux de réjection n mode commun
- коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы
коэффициент ослабления синфазных входных напряжений
Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений.
Обозначение
Kос.сф
KCMR
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
Франко-русский словарь нормативно-технической терминологии > taux de réjection n mode commun
- 1
- 2
См. также в других словарях:
ГОСТ 19480-89 — 71 с. (10) Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров Взамен: ГОСТ 19480 74 разделы 01.040.31, 31.200 … Указатель национальных стандартов 2013
ГОСТ 19480-89 — Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров. Взамен ГОСТ 19480 74 [br] НД чинний: від 1991 01 01 Зміни: Технічний комітет: ТК 72 Мова: Ru Метод прийняття: Кількість сторінок: 37 Код НД згідно з… … Покажчик національних стандартів
ГОСТ 8821-75 — 8 с. (2) Заготовка клепки для деревянных заливных и сухотарных бочек. Технические условия Взамен: ГОСТ 8821 67 Изменение №1/ИУС 6 1980 Изменение №2/ИУС 4 1982 Изменение №3/ИУС 3 1985 Изменение №4/ИУС 2 1990 Изменение №5/ИУС 5 1992 раздел 55.140 … Указатель национальных стандартов 2013
19480 — ГОСТ 19480{ 89} Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров. ОКС: 01.040.31, 31.200 КГС: Э00 Термины и обозначения Взамен: ГОСТ 19480 74 Действие: С 01.01.91 Примечание: переиздание 2005 в сб.… … Справочник ГОСТов
50475 — ГОСТ Р 50475{ 93} Продукты переработки плодов и овощей. Горошек зеленый и кукуруза консервированные и быстрозамороженные. Метод определения сухих веществ, не растворимых в спирте. ОКС: 67.080.20 КГС: Н59 Методы испытаний. Упаковка. Маркировка… … Справочник ГОСТов
ДСТУ 2801-94 — (ГОСТ 7499 95) Колонка пожежна. Технічні умови. На заміну ГОСТ 7499 71 [br] НД чинний: від 1996 07 01 Зміни: Технічний комітет: Мова: Метод прийняття: Кількість сторінок: 11 Код НД згідно з ДК 004: 13.220.10 … Покажчик національних стандартів
вакуумная система электронного микроскопа — вакуумная система Система, предназначенная для создания вакуума в электронном микроскопе. [ … Справочник технического переводчика
запасной выход — 2.10 запасной выход: Запасные двери, окно или аварийный люк. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
31.200 — Інтегровані схеми. Мікроелектроніка ГОСТ 4.465 87 СПКП. Микросхемы интегральные. Номенклатура показателей ГОСТ 17021 88 Микросхемы интегральные. Термины и определения. Взамен ГОСТ 17021 75 ГОСТ 17230 71 Микросхемы интегральные. Ряд питающих… … Покажчик національних стандартів
01.040.31 — Электроника (Словари) ГОСТ 13820 77 ГОСТ 15093 90 ГОСТ 15133 77 ГОСТ 16803 78 ГОСТ 17021 88 ГОСТ 17704 72 ГОСТ 17791 82 ГОСТ 18577 80 ГОСТ 18669 73 … Указатель национальных стандартов 2013
